توضیحات
| دارای فناوری SMART نوع فلش : 3D NANDنوشتن تصادفی تا 4 کیلوبایت : 80,000 (IOPS) خواندن تصادفی تا 4 کیلوبایت : 50,000 (IOPS)حداکثر توان عملیاتی : 1.7 وات دمای عملیاتی : 70 – 0 درجه سانتیگراد دمای ذخیره سازی : 85 – 40- درجه سانیتگرادترابایت نوشته شده : 110TBW میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعتLOW POWER L1.2: 4.9 MW IDLE POWER PS3 : 325 MW |
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.